基于CSD18540Q5B的60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

iczoom188

　　1 特性

　　超低 Qg 和 Qgd

　　低热阻

　　雪崩额定值

　　无铅引脚镀层

　　符合 RoHS 环保标准

　　无卤素

　　小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

　　2 应用范围

　　直流 - 直流转换

　　次级侧同步整流器

　　经隔离转换器主级侧开关

电机控制

该产品品牌下其它产品相关信息可咨询：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html

　　3 说明

　　此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。

　　中的封装尺寸拼写错误

　　产品概要

TA=25°C		典型值		单位
VDS	漏源电压	60		V
Qg	栅极电荷总量 (10V)	41		nC
Qgd	栅极电荷（栅极到漏极）	6.7		nC
RDS(on)	漏源导通电阻	VGS = 4.5V	2.6	mΩ
		VGS = 10V	1.8
VGS(th)	阈值电压	1.9		V