基于CSD17576Q5B的30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

iczoom188

　　1 特性

　　低 Qg 和 Qgd

　　低 RDS(on)

　　低热阻

　　雪崩级

　　无铅引脚镀层

　　符合 RoHS 标准

　　无卤素

　　SON 5mm × 6mm 塑料封装

　　2 应用范围

　　用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器

　　已针对同步 FET 应用进行 优化

　　3 说明

这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

该产品品牌下其它产品相关信息可咨询：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.htm

　　产品概要

TA = 25°C		典型值		单位
VDS	漏源电压	30		V
Qg	栅极电荷总量 (4.5V)	25		nC
Qgd	栅极电荷（栅极到漏极）	5.4		nC
RDS(on)	漏源导通电阻	VGS = 4.5V	2.4	mΩ
		VGS = 10V	1.7	mΩ
VGS(th)	阈值电压	1.4		V