描述 DRV870xD-Q1 器件是一款半桥栅极驱动器,它使用两个外部 N 沟道 MOSFET,旨在驱动单向刷式直流电机或电磁阀负载。 通过 PWM 接口,可轻松连接到控制器电路。内部传感放大器提供可调的电流控制。集成的电荷泵可提供 100% 占空比支持,而且可用于驱动外部反向电池开关。独立半桥模式支持半桥共享,能够以具有成本效益的方式顺序控制多个直流电机。这款栅极驱动器内置有相应的电路,能够使用关断时间固定的 PWM 电流斩波来调节绕组电流。 DRV870xD-Q1 器件采用了智能栅极驱动技术,因此无需任何外部栅极组件(电阻器和齐纳二极管),同时可为外部 FET 提供全面保护。智能栅极驱动架构可优化死区时间以避免出现任何击穿问题,在通过可编程压摆率控制技术降低电磁干扰 (EMI) 方面带来了灵活性,而且可防止任何栅极短路问题。此外,该架构中还包括主动和被动下拉特性,可防止任何 dv/dt 栅极导通。 低功耗睡眠模式可将内部电路关断,从而实现极低的 静态电流消耗。该器件采用了 5mm × 5mm 的小型封装且外部组件极少,因此可用于非常小巧的设计中。 特性 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 +125°C 单通道 半桥栅极驱动器 驱动两个外部 N 沟道 MOSFET 支持 100% 脉宽调制 (PWM) 占空比 工作电源电压范围:5.5V 至 45V PWM 控制接口 用于配置的串行接口 (DRV8703D-Q1) 智能栅极驱动架构 可调压摆率控制 10mA 至 260mA 峰值高侧拉电流 20mA 至 440mA 峰值高侧灌电流 10mA 至 225mA 峰值低侧拉电流 20mA 至 430mA 峰值低侧灌电流 支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入 电流分流放大器 集成 PWM 电流调节功能 低功耗休眠模式 小型封装尺寸 32 引脚 VQFN 封装 5mm × 5mm 可湿侧面封装 保护 特性 电源欠压锁定 (UVLO) 电荷泵欠压 (CPUV) 锁定 过流保护 (OCP) 栅极驱动器故障 (GDF) 热关断 (TSD) 监视器计时器 (DRV8703D-Q1) 故障调节输出 (nFAULT) 相关品牌介绍:https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html |