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基于CSD18540Q5B的60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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发表于 2018-11-7 17:25:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
  1 特性
  超低 Qg Qgd
  低热阻
  雪崩额定值
  无铅引脚镀层
  符合 RoHS 环保标准
  无卤素
  小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
  2 应用范围
  直流 - 直流转换
  次级侧同步整流器
  经隔离转换器主级侧开关
电机控制
该产品品牌下其它产品相关信息可咨询:https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html
  3 说明
  此 1.8mΩ60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。
  中的封装尺寸拼写错误
  产品概要
TA=25°C
典型值
单位
VDS
漏源电压
60
V
Qg
栅极电荷总量 (10V)
41
nC
Qgd
栅极电荷(栅极到漏极)
6.7
nC
RDS(on)
漏源导通电阻
VGS = 4.5V
2.6
VGS = 10V
1.8
VGS(th)
阈值电压
1.9
V
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