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基于CSD17576Q5B的30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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发表于 2018-11-7 17:25:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
  1 特性
  低 Qg Qgd
  低 RDS(on)
  低热阻
  雪崩级
  无铅引脚镀层
  符合 RoHS 标准
  无卤素
  SON 5mm × 6mm 塑料封装
  2 应用范围
  用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  已针对同步 FET 应用进行 优化
  3 说明
这款 30V1.7mΩSON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。
该产品品牌下其它产品相关信息可咨询:https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.htm
  产品概要
TA = 25°C
典型值
单位
VDS
漏源电压
30
V
Qg
栅极电荷总量 (4.5V)
25
nC
Qgd
栅极电荷(栅极到漏极)
5.4
nC
RDS(on)
漏源导通电阻
VGS = 4.5V
2.4
VGS = 10V
1.7
VGS(th)
阈值电压
1.4
V
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