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基于CSD17573Q5B的30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

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发表于 2018-11-7 17:24:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
  1 特性
  低 Qg Qgd
  超低导通电阻 RDS(on)
  低热阻
  雪崩额定值
  无铅引脚镀层
  符合 RoHS 环保标准
  无卤素
  SON 5mm × 6mm 塑料封装
  2 应用范围
  用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
已针对同步 FET 应用进行 优化
该产品品牌下其它产品相关信息可咨询:https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html
  3 说明
  此 0.84mΩ30VSON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
  绝对最大额定值
TA = 25°C
单位
VDS
漏源极电压
30
V
VGS
栅源电压
±20
V
ID
持续漏极电流(受封装限制)
100
A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得
332
持续漏极电流
43
IDM
脉冲漏极电流
400
A
PD
功率耗散
3.2
W
功率耗散,TC = 25°C
195
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 150
°C
EAS
雪崩能量,单一脉冲
ID = 76L = 0.1mHRG = 25Ω
289
mJ
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