美国Everspin半导体中国区指定代理 MRAM(非易失性存储器）

juliasarah

我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
  
主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：


串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit

型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压     工作温度     封装
MR25H256     256Kb     32K*8       40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN
MR25H10       1Mb       128K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN
MR25H40       4Mb       512K*8      40MHz       2.7V~3.6V     C,M         8-DFN,8-DIP


并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号                 容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装
MR256A08B       256Kb     32K*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR0A08B           1Mb       128K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR0D08B           1Mb       128K*8      45ns         2.7V~3.6V,I/O 1.8V      Blank       48-BGA
MR2A08A           4Mb       512K*8      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR4A08B           16Mb      2Mb*8       35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA


并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号                容量     数据结构    总线速度     工作电压                工作温度     封装
MR0A16A         1Mb       64K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR2A16A         4Mb       256K*16      35ns         2.7V~3.6V               C,M         44TSOP,48-BGA
MR4A16B         16Mb      1Mb*16       35ns         2.7V~3.6V               C,M         54TSOP,48-BGA


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我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！
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Julia(徐诺)
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