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标题: 基于CSD18540Q5B的60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET [打印本页]
作者: iczoom188    时间: 2018-11-7 17:25
标题: 基于CSD18540Q5B的60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
　　1 特性
　　超低 Qg 和 Qgd
　　低热阻
　　雪崩额定值
　　无铅引脚镀层
　　符合 RoHS 环保标准
　　无卤素
　　小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
　　2 应用范围
　　直流 - 直流转换
　　次级侧同步整流器
　　经隔离转换器主级侧开关
电机控制
该产品品牌下其它产品相关信息可咨询：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html
　　3 说明
　　此 1.8mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗 并且采用了 5mm × 6mm SON 封装。
　　中的封装尺寸拼写错误
　　产品概要
TA=25°C
典型值
单位
VDS
漏源电压
60
V
Qg
栅极电荷总量 (10V)
41
nC
Qgd
栅极电荷（栅极到漏极）
6.7
nC
RDS(on)
漏源导通电阻
VGS = 4.5V
2.6
mΩ
VGS = 10V
1.8
VGS(th)
阈值电压
1.9
V




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