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标题: 基于CSD17576Q5B的30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET [打印本页]
作者: iczoom188    时间: 2018-11-7 17:25
标题: 基于CSD17576Q5B的30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
　　1 特性
　　低 Qg 和 Qgd
　　低 RDS(on)
　　低热阻
　　雪崩级
　　无铅引脚镀层
　　符合 RoHS 标准
　　无卤素
　　SON 5mm × 6mm 塑料封装
　　2 应用范围
　　用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
　　已针对同步 FET 应用进行 优化
　　3 说明
这款 30V、1.7mΩ、SON 5 x 6mm NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。
该产品品牌下其它产品相关信息可咨询：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.htm
　　产品概要
TA = 25°C
典型值
单位
VDS
漏源电压
30
V
Qg
栅极电荷总量 (4.5V)
25
nC
Qgd
栅极电荷（栅极到漏极）
5.4
nC
RDS(on)
漏源导通电阻
VGS = 4.5V
2.4
mΩ
VGS = 10V
1.7
mΩ
VGS(th)
阈值电压
1.4
V




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