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标题: 基于CSD17573Q5B的30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET [打印本页]

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作者: iczoom188    时间: 2018-11-7 17:24
标题: 基于CSD17573Q5B的30 V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

　　1 特性

　　低 Qg 和 Qgd

　　超低导通电阻 RDS(on)

　　低热阻

　　雪崩额定值

　　无铅引脚镀层

　　符合 RoHS 环保标准

　　无卤素

　　SON 5mm × 6mm 塑料封装

　　2 应用范围

　　用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器

已针对同步 FET 应用进行 优化

该产品品牌下其它产品相关信息可咨询：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html

　　3 说明

　　此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

　　绝对最大额定值

TA = 25°C		值	单位
VDS	漏源极电压	30	V
VGS	栅源电压	±20	V
ID	持续漏极电流（受封装限制）	100	A
	持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得	332
	持续漏极电流	43
IDM	脉冲漏极电流	400	A
PD	功率耗散	3.2	W
	功率耗散，TC = 25°C	195
TJ， Tstg	工作结温， 储存温度	-55 至 150	°C
EAS	雪崩能量，单一脉冲 ID = 76，L = 0.1mH，RG = 25Ω	289	mJ

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