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标题: 基于DRV8320的60V 三相智能栅极驱动器 [打印本页]

作者: iczoom188 时间: 2018-9-20 16:35
标题: 基于DRV8320的60V 三相智能栅极驱动器

　　描述

　　DRV832x 系列器件是一款适用于三相应用的集成式栅极驱动器。此类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV832x 使用集成电荷泵为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压，并使用线性稳压器为低侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。此智能栅极驱动架构支持高达 1A 的峰值栅极驱动拉电流和 2A 的峰值栅极驱动灌电流。DRV832x 可以使用单电源工作，并支持宽输入电源范围，包括适用于栅极驱动器的 6V 至 60V 和电压，以及适用于可选降压稳压器的 4V 至 60V 电压。

　　6x、3x、1x 和独立输入 PWM 模式可简化与控制器电路的连接。栅极驱动器和器件的配置设置具有高度可配置性，可通过 SPI 或硬件 (H/W) 接口实现。 DRV8323 和 DRV8323R 器件集成了三个低侧电流检测放大器，可在驱动级的全部三个相位上进行双向电流检测。DRV8320R 和 DRV8323R 器件集成了一个 600mA 降压稳压器。

　　提供了低功耗睡眠模式，以通过关闭大部分的内部电路实现较低的静态电流消耗。针对欠压锁定、电荷泵故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路、栅极驱动器故障和过热情况提供内部保护功能。故障状况及故障详情可通过 SPI 器件型号的器件寄存器显示在 nFAULT 引脚上。

　　相关品牌介绍：https://www.iczoom.com/brand/509-c-1-20.html

　　特性

　　三个半桥栅极驱动器

　　可驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET (NMOS)

　　智能栅极驱动架构

　　可调压摆率控制

　　10mA 至 1A 峰值拉电流

　　20mA 至 2A 峰值灌电流

　　集成栅极驱动器电源

　　支持 100% PWM 占空比

　　高侧电荷泵

　　低侧线性稳压器

　　工作电压范围 6V 至 60V

　　可选集成式降压稳压器

　　LMR16006X SIMPLE SWITCHER®

　　4V 至 60V 工作电压范围

　　0.8V 至 60V、600mA 输出能力

　　三个可选集成式电流检测放大器 (CSA)

　　可调增益(5、10、20、40 V/V)

　　双向或单向支持

　　提供有 SPI 和硬件接口

　　6x、3x、1x 和独立的 PWM 模式

　　支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入

　　低功耗睡眠模式 (12µA)

　　3.3V、30mA 线性稳压器

　　紧凑型 QFN 封装和尺寸

　　采用电源块的高效系统设计

　　集成式保护特性

　　VM 欠压闭锁 (UVLO)

　　电荷泵欠压 (CPUV)

　　MOSFET 过流保护 (OCP)

　　栅极驱动器故障 (GDF)

　　热警告和热关断 (OTW/OTSD)

　　故障状态指示器 (nFAULT)

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